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通用存储器跨越新里程碑!完美结合DRAM和闪存优点,效率提高100倍

admin 2020年01月22日 07点

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兰开斯特大学的物理学家证明,他们创造的新式存储设备能够改动计算机、智能手机和其他电子设备的作业方法。

本质上,“通用存储器”是一种数据存储十分稳健,但也能够很容易地改动的存储器;直到现在,人们还普遍认为这是不可能完成的。

当时,动态存储器(DRAM)和闪存这两种首要的存储器具有互补的特征和效果。 DRAM速度很快,因而可用于活动(作业)内存,但它易失,这意味着在断电时信息会丢掉。事实上,DRAM不断“忘记”,而且需求不断改写。闪存对错易失性的,能够让你在口袋中带着数据,可是速度却很慢。它十分合适用于数据存储,但不能用于活动内存。

这篇论文宣布在1月份的《 IEEE Transactions on Electron Devices》上,展现了如何将单个存储单元以阵列的方法衔接在一起以构成RAM。论文猜测,此类芯片至少会与DRAM的速度功能相匹配,但功率要高出100倍,而且具有非易失性的额定优势。

这种称为ULTRARAM的新式非易失性RAM将成为所谓的“通用存储器”的有用完成方法,结合了DRAM和闪存的一切长处,而没有缺陷。

担任这项研讨的Manus Hayne教授说:“这份新论文宣布的研讨成果是一项严重前进,为施行ULTRARAM存储器供给了明晰的蓝图。”

兰开斯特研讨团队经过使用称为共振隧穿的量子力学效应处理了通用内存的悖论,该效应经过施加较小的电压即可使势垒从不通明切换为通明。

新研讨描绘了此进程的杂乱模仿。并提出了一种用于存储单元的读出机制,该机制将逻辑状况之间的对比度前进许多数量级,然后答应单元以大阵列衔接。它还标明,共振隧穿势垒的不通明性和通明性之间的急剧过渡促进了具有高位密度的高度紧凑体系结构。

正在进行的研讨针对作业内存芯片的可制作性,包含设备阵列的制作,读出逻辑的开发,设备的缩放以及在硅片上的完成。

原文来历:https://techxplore.com/news/2020-01-universal-memory-milestone.html


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